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肖特基势垒二极管，又称热载流子二极管。利用金属-半导体(M-S)接触特性制成，有点接触型和面结合型两种管芯结构。

为了在真空中从金属或半异体上放出电子，就必须给电子施加一一定的能量，将这个能量称为功函数，不同种类的金属和半导体拥有各自不同的固有功函敷值。使两种材料接触，

电子会从功函数小的材料向功函数大的材料方向流动。如果使n型半导体与比其功函数大的金属材料接触，则与pn结情况一样从半导体流出电子、而在n型半导体中形成耗尽层，产生接触电势。

由于耗尽层使得在金属和半导体的接触处产生了整流作用，所以称这样的整流二极管为肖特基势垒二极管(Schotky Barrier Diode, SBD)。

另外，当n型半导体与比其功函数小的金属相接触时，由于电子从金属向半导体的方向流动，所以不会形成耗尽层，也不发生整流作用，成为了所谓的欧姆接触( ohmic contact)。

SBD是单极型器件，由于不发生所谓的少数载流子存储效应，所以电流极性反转时反向恢复快，适用于高速开关。但是，对非常高速的开关而言，为了使它也形成耗尽层，对应接合容量的过渡电流可能会引起些问题。另-方面，正向压降低也是SBD的优点。 

然而，用于高压的器件制作困难，因此SBD主要限定用于50V以下的低压高速开关场合。